Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.
HomeΠροϊόνταΒιομηχανικά εξαρτήματα έξυπνων μονάδωνΠροδιαγραφές μονάδας μνήμης DDR3 UDIMM

Προδιαγραφές μονάδας μνήμης DDR3 UDIMM

Τρόπος Πληρωμής:
L/C,T/T,D/A
Incoterm:
FOB,EXW,CIF
Min. Παραγγελία:
1 Piece/Pieces
μεταφορά:
Ocean,Air,Express,Land
  • Περιγραφή Προϊόντος
Overview
Χαρακτηριστικά προϊό...

Αρ. μοντέλουNSO4GU3AB

Δυνατότητα εφοδιασμο...

μεταφοράOcean,Air,Express,Land

Τρόπος ΠληρωμήςL/C,T/T,D/A

IncotermFOB,EXW,CIF

Συσκευασία & παράδοση
Πώληση μονάδων:
Piece/Pieces

4GB 1600MHz 240-PIN DDR3 UDIMM


Ιστορικό αναθεώρησης

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

Πίνακας πληροφοριών παραγγελίας

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


Περιγραφή
Το Hengstar Unbuffered DDR3 SDRAM DIMMS (μη ρυθμούς διπλής ταχύτητας δεδομένων συγχρονισμένων μονάδων μνήμης DRAM DRAM) είναι μονάδες μνήμης λειτουργίας χαμηλής ισχύος, υψηλής ταχύτητας που χρησιμοποιούν συσκευές DDR3 SDRAM. Το NS04GU3AB είναι 512m x 64-bit δύο βαθμούς 4GB DDR3-1600 CL11 1.5V SDRAM Unbuffer DIMM προϊόν, με βάση τα δεκαέξι 256m x 8-bit FBGA εξαρτήματα. Το SPD προγραμματίζεται στο χρονικό διάστημα JEDEC Standard Latency DDR3-1600 του 11-11-11 στα 1,5V. Κάθε DIMM 240 ακίδων χρησιμοποιεί χρυσά δάχτυλα επαφής. Το SDRAM Unbuffered DIMM προορίζεται για χρήση ως κύρια μνήμη όταν εγκαθίσταται σε συστήματα όπως PCS και σταθμούς εργασίας.


Χαρακτηριστικά
 Προμήθεια ισχύος: VDD = 1,5V (1,425V έως 1,575V)
VDDQ = 1.5V (1.425V έως 1.575V)
800MHz FCK για 1600MB/sec/pin
8 Ανεξάρτητη Εσωτερική Τράπεζα
 Προγραμματιζόμενη λανθάνουσα κατάσταση CAS: 11, 10, 9, 8, 7, 6
 Προγραμματιζόμενη λανθάνουσα κατάσταση: 0, cl - 2 ή cl - 1 ρολόι
 8-bit pre-fetch
 Μήκος Burst: 8 (interves χωρίς κανένα όριο, διαδοχική με μόνο διεύθυνση "000"), 4 με TCCD = 4 που δεν επιτρέπει απρόσκοπτη ανάγνωση ή εγγραφή [είτε εν κινήσει χρησιμοποιώντας A12 είτε MRS]
 Βιβλίο-κατευθυνόμενο διαφορικό στροβοσκόπιο
 Εσωτερική (αυτο) βαθμονόμηση. Εσωτερική αυτοαξιολόγηση μέσω PIN ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
 Στον τερματισμό της μήτρας χρησιμοποιώντας το PIN ODT
 Επικεφαλής περίοδος ανανέωσης 7.8US σε χαμηλότερη από TCase 85 ° C, 3.9US στους 85 ° C <Tcase <95 ° C
Asynchronous Reset
 Ρυθμιζόμενη δύναμη κίνησης δεδομένων-εξόδου
 Τοπολογία
PCB: Ύψος 1.18 "(30mm)
 Rohs συμβατά και χωρίς αλογόνο


Παράμετροι χρονοδιαγράμματος κλειδιών

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


Διευθυντής

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


Περιγραφές PIN

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

Σημειώσεις : Ο πίνακας περιγραφής PIN παρακάτω είναι ένας περιεκτικός κατάλογος όλων των πιθανών ακίδων για όλες τις μονάδες DDR3. Όλες οι καρφίτσες που αναφέρονται μπορεί να μην υποστηρίζονται σε αυτήν την ενότητα. Δείτε τις αναθέσεις PIN για πληροφορίες συγκεκριμένες σε αυτήν την ενότητα.


Λειτουργικό διάγραμμα μπλοκ

4GB, 512MX64 Μονάδα (2rank του x8)

1


2


Σημείωση:
1. Η σφαίρα ZQ σε κάθε συστατικό DDR3 συνδέεται με μια εξωτερική αντίσταση 240Ω ± 1% που συνδέεται με το έδαφος. Χρησιμοποιείται για τη βαθμονόμηση του οδηγού τερματισμού και εξόδου του εξαρτήματος.



Διαστάσεις μονάδας


Εμπρόσθια όψη

3

Εμπρόσθια όψη

4

Σημειώσεις:
1. Όλες οι διαστάσεις βρίσκονται σε χιλιοστά (ίντσες). Max/min ή τυπικό (τύπος) όπου σημειώνεται.
2. Μεταβολή σε όλες τις διαστάσεις ± 0,15mm εκτός εάν ορίζεται διαφορετικά.
3. Το διάγραμμα διαστάσεων είναι μόνο για αναφορά.

Κατηγορίες Προϊόντων : Βιομηχανικά εξαρτήματα έξυπνων μονάδων

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ σε αυτόν τον προμηθευτή
  • *Θέμα:
  • *Προς το:
    Mr. Jummary
  • *ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ:
  • *μήνυμα:
    Το μήνυμά σας πρέπει να είναι μεταξύ 20-8000 χαρακτήρες
HomeΠροϊόνταΒιομηχανικά εξαρτήματα έξυπνων μονάδωνΠροδιαγραφές μονάδας μνήμης DDR3 UDIMM
Αποστολή Εξεταστική
*
*

Σπίτι

Product

Phone

Σχετικά με εμάς

Έρευνα

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Αποστολή