Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Αρ. μοντέλου: NSO4GU3AB
μεταφορά: Ocean,Air,Express,Land
Τρόπος Πληρωμής: L/C,T/T,D/A
Incoterm: FOB,EXW,CIF
4GB 1600MHz 240-PIN DDR3 UDIMM
Ιστορικό αναθεώρησης
Revision No. |
History |
Draft Date |
Remark |
1.0 |
Initial Release |
Apr. 2022 |
|
Πίνακας πληροφοριών παραγγελίας
Model |
Density |
Speed |
Organization |
Component Composition |
NS04GU3AB |
4GB |
1600MHz |
512Mx64bit |
DDR3 256Mx8 *16 |
Περιγραφή
Το Hengstar Unbuffered DDR3 SDRAM DIMMS (μη ρυθμούς διπλής ταχύτητας δεδομένων συγχρονισμένων μονάδων μνήμης DRAM DRAM) είναι μονάδες μνήμης λειτουργίας χαμηλής ισχύος, υψηλής ταχύτητας που χρησιμοποιούν συσκευές DDR3 SDRAM. Το NS04GU3AB είναι 512m x 64-bit δύο βαθμούς 4GB DDR3-1600 CL11 1.5V SDRAM Unbuffer DIMM προϊόν, με βάση τα δεκαέξι 256m x 8-bit FBGA εξαρτήματα. Το SPD προγραμματίζεται στο χρονικό διάστημα JEDEC Standard Latency DDR3-1600 του 11-11-11 στα 1,5V. Κάθε DIMM 240 ακίδων χρησιμοποιεί χρυσά δάχτυλα επαφής. Το SDRAM Unbuffered DIMM προορίζεται για χρήση ως κύρια μνήμη όταν εγκαθίσταται σε συστήματα όπως PCS και σταθμούς εργασίας.
Χαρακτηριστικά
Προμήθεια ισχύος: VDD = 1,5V (1,425V έως 1,575V)
VDDQ = 1.5V (1.425V έως 1.575V)
800MHz FCK για 1600MB/sec/pin
8 Ανεξάρτητη Εσωτερική Τράπεζα
Προγραμματιζόμενη λανθάνουσα κατάσταση CAS: 11, 10, 9, 8, 7, 6
Προγραμματιζόμενη λανθάνουσα κατάσταση: 0, cl - 2 ή cl - 1 ρολόι
8-bit pre-fetch
Μήκος Burst: 8 (interves χωρίς κανένα όριο, διαδοχική με μόνο διεύθυνση "000"), 4 με TCCD = 4 που δεν επιτρέπει απρόσκοπτη ανάγνωση ή εγγραφή [είτε εν κινήσει χρησιμοποιώντας A12 είτε MRS]
Βιβλίο-κατευθυνόμενο διαφορικό στροβοσκόπιο
Εσωτερική (αυτο) βαθμονόμηση. Εσωτερική αυτοαξιολόγηση μέσω PIN ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
Στον τερματισμό της μήτρας χρησιμοποιώντας το PIN ODT
Επικεφαλής περίοδος ανανέωσης 7.8US σε χαμηλότερη από TCase 85 ° C, 3.9US στους 85 ° C <Tcase <95 ° C
Asynchronous Reset
Ρυθμιζόμενη δύναμη κίνησης δεδομένων-εξόδου
Τοπολογία
PCB: Ύψος 1.18 "(30mm)
Rohs συμβατά και χωρίς αλογόνο
Παράμετροι χρονοδιαγράμματος κλειδιών
MT/s |
tRCD(ns) |
tRP(ns) |
tRC(ns) |
CL-tRCD-tRP |
DDR3-1600 |
13.125 |
13.125 |
48.125 |
2011/11/11 |
Διευθυντής
Configuration |
Refresh count |
Row address |
Device bank address |
Device configuration |
Column Address |
Module rank address |
4GB |
8K |
32K A[14:0] |
8 BA[2:0] |
2Gb (256 Meg x 8) |
1K A[9:0] |
2 S#[1:0] |
Περιγραφές PIN
Symbol |
Type |
Description |
Ax |
Input |
Address inputs: Provide the row address for ACTIVE commands, and the column |
BAx |
Input |
Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or |
CKx, |
Input |
Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are |
CKEx |
Input |
Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry |
DMx |
Input |
Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is |
ODTx |
Input |
On-die termination: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) |
Par_In |
Input |
Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#. |
RAS#, |
Input |
Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being |
RESET# |
Input |
Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and |
Sx# |
Input |
Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command |
SAx |
Input |
Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address |
SCL |
Input |
Serial |
CBx |
I/O |
Check bits: Used for system error detection and correction. |
DQx |
I/O |
Data input/output: Bidirectional data bus. |
DQSx, |
I/O |
Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data; |
SDA |
I/O |
Serial |
TDQSx, |
Output |
Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD |
Err_Out# |
Output (open |
Parity error output: Parity error found on the command and address bus. |
EVENT# |
Output (open |
Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical |
VDD |
Supply |
Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The |
VDDSPD |
Supply |
Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V. |
VREFCA |
Supply |
Reference voltage: Control, command, and address VDD/2. |
VREFDQ |
Supply |
Reference voltage: DQ, DM VDD/2. |
VSS |
Supply |
Ground. |
VTT |
Supply |
Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2. |
NC |
– |
No connect: These pins are not connected on the module. |
NF |
– |
No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality. |
Σημειώσεις : Ο πίνακας περιγραφής PIN παρακάτω είναι ένας περιεκτικός κατάλογος όλων των πιθανών ακίδων για όλες τις μονάδες DDR3. Όλες οι καρφίτσες που αναφέρονται μπορεί να μην υποστηρίζονται σε αυτήν την ενότητα. Δείτε τις αναθέσεις PIN για πληροφορίες συγκεκριμένες σε αυτήν την ενότητα.
Λειτουργικό διάγραμμα μπλοκ
4GB, 512MX64 Μονάδα (2rank του x8)
Διαστάσεις μονάδας
Εμπρόσθια όψη
Εμπρόσθια όψη
Σημειώσεις:
1. Όλες οι διαστάσεις βρίσκονται σε χιλιοστά (ίντσες). Max/min ή τυπικό (τύπος) όπου σημειώνεται.
2. Μεταβολή σε όλες τις διαστάσεις ± 0,15mm εκτός εάν ορίζεται διαφορετικά.
3. Το διάγραμμα διαστάσεων είναι μόνο για αναφορά.
Κατηγορίες Προϊόντων : Βιομηχανικά εξαρτήματα έξυπνων μονάδων
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.